창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1018ESLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF1018E (S,SL) PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 79A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 47A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001550908 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF1018ESLPBF | |
관련 링크 | IRF101, IRF1018ESLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
350BXC6.8MEFC10X16 | 6.8µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 350BXC6.8MEFC10X16.pdf | ||
UCY2V820MHD9TN | 82µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2V820MHD9TN.pdf | ||
511D336M075CC4D | 33µF 75V Aluminum Capacitors Radial, Can 4.44 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | 511D336M075CC4D.pdf | ||
CL05C130JB5NCNC | 13pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C130JB5NCNC.pdf | ||
MKP385433063JIM2T0 | 0.33µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP385433063JIM2T0.pdf | ||
FCF90RN | FUSE FAST ACTING CUBE 90A | FCF90RN.pdf | ||
5.0SMDJ85A | TVS DIODE 85VWM 137VC SMD | 5.0SMDJ85A.pdf | ||
407F39D012M5000 | 12.5MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F39D012M5000.pdf | ||
K50-3C1SE66.6667 | 66.6667MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Standby (Power Down) | K50-3C1SE66.6667.pdf | ||
AQW210AZ | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD (0.300", 7.62mm) | AQW210AZ.pdf | ||
RCWE201020L0FMEA | RES SMD 0.02 OHM 1% 1W 2010 | RCWE201020L0FMEA.pdf | ||
ACS764XLFTR-16AU-T | Current Sensor 16A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Unidirectional 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width) | ACS764XLFTR-16AU-T.pdf |