Infineon Technologies IRF1310NPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF1310NPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF1310NPBF 가격 및 조달
가능 수량
1635 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,151.93700
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF1310NPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF1310NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF1310NPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF1310NPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF1310NPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1310NPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF1310NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1310NPBF SP001553864 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1310NPBF | |
| 관련 링크 | IRF13, IRF1310NPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRF1310NPBF 의 관련 제품
 | 12101U390JAT2A | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U390JAT2A.pdf | |
 | GRM1555C1H9R9BZ01D | 9.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H9R9BZ01D.pdf | |
 | MF-LR730 | FUSE RESETTABLE LOW RESISTANCE | MF-LR730.pdf | |
 | SMBG8.5A-M3/5B | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO-215AA | SMBG8.5A-M3/5B.pdf | |
 | 416F40612IAT | 40.61MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612IAT.pdf | |
 | FMB-26 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220F | FMB-26.pdf | |
 | SS24-M3/52T | DIODE SCHOTTKY 2A 40V DO-214AA | SS24-M3/52T.pdf | |
 | S1210-391G | 390nH Shielded Inductor 692mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-391G.pdf | |
| DRC3P60A4002 | SOLID STATE RELAY 48-600 VAC | DRC3P60A4002.pdf | |
,-J-Lead.jpg) | SMW3R27JT | RES SMD 0.27 OHM 5% 3W 4122 | SMW3R27JT.pdf | |
| MRS16000C2371FC100 | RES 2.37K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C2371FC100.pdf | |
| Y00892K80000FP0L | RES 2.8K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y00892K80000FP0L.pdf |
