창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1324PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF1324PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 195A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7590pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001561460 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF1324PBF | |
관련 링크 | IRF13, IRF1324PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 477LBB160M2CC | 470µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 352.74 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 477LBB160M2CC.pdf | |
![]() | 170M3909 | FUSE 450A | 170M3909.pdf | |
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![]() | RT0402DRE07453RL | RES SMD 453 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE07453RL.pdf | |
![]() | ERJ-S06F49R9V | RES SMD 49.9 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F49R9V.pdf | |
![]() | PTN1206E64R9BST1 | RES SMD 64.9 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E64R9BST1.pdf | |
![]() | CRCW08053M00FKTA | RES SMD 3M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08053M00FKTA.pdf | |
![]() | RNF12FTD32R4 | RES 32.4 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD32R4.pdf | |
![]() | CMF55374K00FHBF | RES 374K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55374K00FHBF.pdf |