창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1405ZLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF1405Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1405ZLPBF SP001570006 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF1405ZLPBF | |
관련 링크 | IRF140, IRF1405ZLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ1812A330JBHAT4X | 33pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A330JBHAT4X.pdf | |
![]() | SIT8008AI-22-XXE-8.000000E | OSC XO 8MHZ OE | SIT8008AI-22-XXE-8.000000E.pdf | |
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![]() | L06033R3CGWTR | 3.3nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 80 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L06033R3CGWTR.pdf | |
![]() | 1539M02 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 14A 8 mOhm Max Radial | 1539M02.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF9533U | RES SMD 953K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF9533U.pdf | |
![]() | PHP00805E6043BBT1 | RES SMD 604K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E6043BBT1.pdf | |
![]() | Y1624280R000B9W | RES SMD 280 OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y1624280R000B9W.pdf | |
![]() | 4816P-T02-824 | RES ARRAY 15 RES 820K OHM 16SOIC | 4816P-T02-824.pdf |