창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1405ZLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF1405Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1405ZLPBF SP001570006 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF1405ZLPBF | |
관련 링크 | IRF140, IRF1405ZLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 445A3XD14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XD14M31818.pdf | |
![]() | SIT1602BI-72-18E-24.000000D | OSC XO 1.8V 24MHZ OE | SIT1602BI-72-18E-24.000000D.pdf | |
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![]() | CR1206-FX-1210ELF | RES SMD 121 OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-1210ELF.pdf | |
![]() | MCR25JZHJ430 | RES SMD 43 OHM 5% 1/4W 1210 | MCR25JZHJ430.pdf | |
![]() | Y09263R00000Q9L | RES 3 OHM 8W 0.02% TO220-4 | Y09263R00000Q9L.pdf | |
![]() | Y40782K02000F9L | RES 2.02K OHM 0.3W 1% RADIAL | Y40782K02000F9L.pdf | |
![]() | P51-200-G-A-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-G-A-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | 67F095-0052 | THERMOSTAT 92 DEG NO TO-220 | 67F095-0052.pdf |