창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1405ZSPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF1405Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001564248 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF1405ZSPBF | |
관련 링크 | IRF140, IRF1405ZSPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
LGR2G471MELC50 | 470µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C | LGR2G471MELC50.pdf | ||
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![]() | 1N5382/TR8 | DIODE ZENER 140V 5W T18 | 1N5382/TR8.pdf | |
![]() | 1840-38F | 27µH Unshielded Molded Inductor 214mA 2.75 Ohm Max Axial | 1840-38F.pdf | |
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![]() | RP73D2A953KBTG | RES SMD 953K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A953KBTG.pdf | |
![]() | Y08501R74000D9R | RES SMD 1.74 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08501R74000D9R.pdf | |
![]() | Y162710K0000D9W | RES SMD 10K OHM 0.5% 1/2W 2010 | Y162710K0000D9W.pdf |