창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2804LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF2804(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF2804LPBF Saber Model IRF2804LPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-2110PBF 64-2110PBF-ND SP001550958 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF2804LPBF | |
관련 링크 | IRF28, IRF2804LPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MCU08050D3901BP500 | RES SMD 3.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D3901BP500.pdf | |
![]() | S5-15KF1 | RES SMD 15K OHM 1% 4W 8230 | S5-15KF1.pdf | |
![]() | RCP0505B680RJET | RES SMD 680 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B680RJET.pdf | |
![]() | SFR16S0002672FR500 | RES 26.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0002672FR500.pdf | |
MLH010BGD14B | Pressure Sensor 145.04 PSI (1000 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) BSP 4 mA ~ 20 mA Cylinder, Metal | MLH010BGD14B.pdf |