창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF2807PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF2807PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF2807PBF Saber Model IRF2807PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 43A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF2807PBF SP001550978 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF2807PBF | |
관련 링크 | IRF28, IRF2807PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
GRM1555C2A5R6DA01D | 5.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A5R6DA01D.pdf | ||
CC0201KRX7R7BB472 | 4700pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CC0201KRX7R7BB472.pdf | ||
C1206Y332K5RACTU | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206Y332K5RACTU.pdf | ||
GRM2166R1H180JZ01D | 18pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166R1H180JZ01D.pdf | ||
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CPR20240R0KE10 | RES 240 OHM 20W 10% RADIAL | CPR20240R0KE10.pdf | ||
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