Infineon Technologies IRF3546MTRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF3546MTRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
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IRF3546MTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF3546MTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF3546 | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc), 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 27A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 41-PowerVFQFN | |
| 공급 장치 패키지 | 41-PQFN(6x8) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IRF3546MTRPBF-ND IRF3546MTRPBFTR SP001530116 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF3546MTRPBF | |
| 관련 링크 | IRF354, IRF3546MTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
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