창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3610STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF3610SPBF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 103A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.6m옴 @ 62A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5380pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 333W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IRF3610STRLPBFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF3610STRLPBF | |
관련 링크 | IRF3610, IRF3610STRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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T495B336K010ATE450 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1411 (3528 Metric) 450 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T495B336K010ATE450.pdf | ||
SMA6L85A | TVS DIODE 85VWM 137VC DO221AC | SMA6L85A.pdf | ||
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ZXMP10A17KTC | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | ZXMP10A17KTC.pdf | ||
XZMOK60W | Orange 601nm LED Indication - Discrete 2.1V 1206 (3016 Metric) | XZMOK60W.pdf | ||
RWS600B48/FO | AC/DC CONVERTER 48V 600W | RWS600B48/FO.pdf | ||
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P0250.222NLT | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 7.1A 14 mOhm Max Nonstandard | P0250.222NLT.pdf | ||
MCR18ERTF46R4 | RES SMD 46.4 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF46R4.pdf | ||
PLTT0805Z8871AGT5 | RES SMD 8.87KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z8871AGT5.pdf |