창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3709SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF3709 (S,L) PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2672pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3709SPBF SP001571378 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF3709SPBF | |
관련 링크 | IRF37, IRF3709SPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | KTR10EZPJ333 | RES SMD 33K OHM 5% 1/8W 0805 | KTR10EZPJ333.pdf | |
![]() | TNPW040279K6BEED | RES SMD 79.6KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040279K6BEED.pdf | |
![]() | CRCW080522K6FKEB | RES SMD 22.6K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080522K6FKEB.pdf | |
![]() | CMF501K0000BERE | RES 1K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF501K0000BERE.pdf | |
![]() | CW01015R00HB12 | RES 15 OHM 13W 3% AXIAL | CW01015R00HB12.pdf | |
![]() | E8Y-A2Y-RD | Pressure Sensor 0.29 PSI (2 kPa) Differential Male - 0.18" (4.5mm) Tube, Dual 4 mA ~ 20 mA Module Box with Display | E8Y-A2Y-RD.pdf |