창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3710PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF3710PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF3710PBF Saber Model IRF3710PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3130pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF3710PBF SP001551058 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF3710PBF | |
관련 링크 | IRF37, IRF3710PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | P6KE6.8CA-B | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO204AC | P6KE6.8CA-B.pdf | |
![]() | 416F24023ADT | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24023ADT.pdf | |
![]() | DSC1001BI5-066.0000T | 66MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001BI5-066.0000T.pdf | |
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![]() | 2SD1796 | TRANS NPN DARL 60V 4A TO220F | 2SD1796.pdf | |
![]() | APT44GA60B | IGBT 600V 78A 337W TO-247 | APT44GA60B.pdf | |
![]() | SR2512MK-074K3L | RES SMD 4.3K OHM 20% 1W 2512 | SR2512MK-074K3L.pdf | |
![]() | 43F39RE | RES 39 OHM 3W 1% AXIAL | 43F39RE.pdf | |
![]() | CMF602K5600DEBF | RES 2.56K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF602K5600DEBF.pdf |