창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF3805STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF3805(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRF3805STRLPBFTR SP001564856 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF3805STRLPBF | |
관련 링크 | IRF3805, IRF3805STRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ2225Y183KBLAT4X | 0.018µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y183KBLAT4X.pdf | |
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![]() | DTC023YEBTL | TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | DTC023YEBTL.pdf | |
![]() | TPL802727-452H | 4.5mH Unshielded Inductor 80 Ohm Max Nonstandard | TPL802727-452H.pdf | |
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![]() | RT0402CRD075R1L | RES SMD 5.1 OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRD075R1L.pdf | |
![]() | TNPW060319K1BEEN | RES SMD 19.1KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060319K1BEEN.pdf | |
![]() | RCP1206B150RGEA | RES SMD 150 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B150RGEA.pdf | |
![]() | Y0075750R000F0L | RES 750 OHM 0.3W 1% RADIAL | Y0075750R000F0L.pdf | |
![]() | CPL10R0510KE14 | RES 0.051 OHM 10W 10% AXIAL | CPL10R0510KE14.pdf |