창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF5210STRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF5210(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF5210SPBF Saber Model IRF5210SPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013 Additional Assembly Site 19/Mar/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001561786 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF5210STRRPBF | |
관련 링크 | IRF5210, IRF5210STRRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 80D102P200ME2DE3 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 144 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 80D102P200ME2DE3.pdf | |
![]() | GRM31MR72A473MA01L | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31MR72A473MA01L.pdf | |
![]() | VJ0402D2R1BLAAC | 2.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R1BLAAC.pdf | |
![]() | 167472J400A-F | 4700pF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 0.413" L x 0.138" W (10.50mm x 3.50mm) | 167472J400A-F.pdf | |
![]() | T86E227K6R3EBAL | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E227K6R3EBAL.pdf | |
![]() | MMSZ5258B-G3-18 | DIODE ZENER 36V 500MW SOD123 | MMSZ5258B-G3-18.pdf | |
![]() | MRF160 | FET RF 65V 500MHZ 249-06 | MRF160.pdf | |
![]() | VP1-0076-R | Unshielded 6 Coil Inductor Array 12-SMD | VP1-0076-R.pdf | |
![]() | 39S822C | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 5.8A 11.4 mOhm Max Nonstandard | 39S822C.pdf | |
![]() | PD0120.332NL | 4.6µH Unshielded Wirewound Inductor 11.2A 6.8 mOhm Max Nonstandard | PD0120.332NL.pdf | |
![]() | MCR006YRTF4703 | RES SMD 470K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YRTF4703.pdf | |
![]() | HRG3216P-6980-D-T1 | RES SMD 698 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6980-D-T1.pdf |