Infineon Technologies IRF530NSTRRPBF

IRF530NSTRRPBF
제조업체 부품 번호
IRF530NSTRRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-IRF530NSTRRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF530N(S,L)PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRF530NS Saber Model
IRF530NS Spice Model
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
PCN 조립/원산지Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs90m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs37nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds920pF @ 25V
전력 - 최대3.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름SP001554040
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF530NSTRRPBF
관련 링크IRF530N, IRF530NSTRRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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