Infineon Technologies IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF5801TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
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내부 부품 번호EIS-IRF5801TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF5801PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRF5801TRPBF Saber Model
IRF5801TRPBF Spice Model
PCN 조립/원산지Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 기타MSL Update 18/Feb/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C600mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.2옴 @ 360mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds88pF @ 25V
전력 - 최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지Micro6™(TSOP-6)
표준 포장 3,000
다른 이름IRF5801TRPBF-ND
IRF5801TRPBFTR
SP001570104
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF5801TRPBF
관련 링크IRF580, IRF5801TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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