창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF60R217 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF60R217 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.9m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRF60R217TR SP001559662 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF60R217 | |
관련 링크 | IRF6, IRF60R217 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 1206VC472KAT2A | 4700pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206VC472KAT2A.pdf | |
![]() | SR155A102JAT | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A102JAT.pdf | |
![]() | 1812HA101MAT1A | 100pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HA101MAT1A.pdf | |
![]() | GRM2196P2A2R6CD01D | 2.6pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196P2A2R6CD01D.pdf | |
![]() | M551B128M050AS | 1200µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 50V M55 Module 15 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M551B128M050AS.pdf | |
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![]() | 1N6114 | TVS DIODE 16.7VWM BPKG AXIAL | 1N6114.pdf | |
![]() | BZT55C3V9-GS08 | DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80 | BZT55C3V9-GS08.pdf | |
![]() | MAP55-4000 | AC/DC CNVRTR 5V 12V -5V -12V 55W | MAP55-4000.pdf | |
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