창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF610PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF610PBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF610PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF610PBF | |
관련 링크 | IRF6, IRF610PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | CRCW201051R0JNTT | RES SMD 51 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW201051R0JNTT.pdf | |
![]() | RT0805CRD07562KL | RES SMD 562K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07562KL.pdf | |
![]() | RT1206WRC07348RL | RES SMD 348 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC07348RL.pdf | |
![]() | MSF4800S-14-0760-14-0280 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-14-0760-14-0280.pdf | |
![]() | HSCSNBN015PAAA5 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSNBN015PAAA5.pdf |