창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6216TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF6216PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF6216PBF Saber Model IRF6216PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF6216TRPBF-ND IRF6216TRPBFTR SP001564802 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF6216TRPBF | |
관련 링크 | IRF621, IRF6216TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 3EZ13D5-TP | DIODE ZENER 13V 3W DO15 | 3EZ13D5-TP.pdf | |
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![]() | RNCF1206BKE1K30 | RES SMD 1.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKE1K30.pdf | |
![]() | RHC2512FT154R | RES SMD 154 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT154R.pdf | |
![]() | RN73C1E60R4BTG | RES SMD 60.4 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E60R4BTG.pdf | |
![]() | TFPT0805L6800FY | PTC Thermistor 680 Ohm 0805 (2012 Metric) | TFPT0805L6800FY.pdf |