STMicroelectronics IRF630
- 제조업체 부품 번호
- IRF630
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF630 가격 및 조달
가능 수량
22928 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 481.85300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF630, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. IRF630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF630, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF630 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF630 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF630 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF630(FP) | |
| 기타 관련 문서 | IRF630 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MESH OVERLAY™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-2757-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF630 | |
| 관련 링크 | IRF, IRF630 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
IRF630 의 관련 제품
 | SR072A680JARTR1 | 68pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR072A680JARTR1.pdf | |
 | MKP385362085JC02R0 | 0.062µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385362085JC02R0.pdf | |
| TV30C200J-G | TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMC | TV30C200J-G.pdf | |
 | 445A32C14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32C14M31818.pdf | |
 | BUK9245-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK | BUK9245-55A,118.pdf | |
 | SCR125B-121 | 120µH Shielded Inductor 2.17A 280 mOhm Max Nonstandard | SCR125B-121.pdf | |
 | ACPL-224-560E | Optoisolator Transistor Output 3000Vrms 2 Channel 8-SO | ACPL-224-560E.pdf | |
 | AGN210S09Z | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | AGN210S09Z.pdf | |
.jpg) | RT1210CRE07750RL | RES SMD 750 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE07750RL.pdf | |
 | RN73C1J12R1BTDF | RES SMD 12.1 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J12R1BTDF.pdf | |
 | CMF5533R000FKRE | RES 33 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5533R000FKRE.pdf | |
| H413KBDA | RES 13.0K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H413KBDA.pdf |
