Infineon Technologies IRF630NSTRRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF630NSTRRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF630NSTRRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF630NSTRRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF630NSTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF630NSTRRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF630NSTRRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF630NSTRRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF630NSTRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF630N | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 82W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SP001561818 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF630NSTRRPBF | |
| 관련 링크 | IRF630N, IRF630NSTRRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRF630NSTRRPBF 의 관련 제품
 | 477XMPL002MG19A | 470µF 2V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 211.6 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | 477XMPL002MG19A.pdf | |
 | UPW2V330MHH | 33µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW2V330MHH.pdf | |
 | C1210X225K1RACAUTO | 2.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1210X225K1RACAUTO.pdf | |
 | FCP1210C683G | 0.068µF Film Capacitor 16V Polyphenylene Sulfide (PPS) 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | FCP1210C683G.pdf | |
 | NOJC107M006RWJ | 100µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 400 mOhm ESR | NOJC107M006RWJ.pdf | |
 | SM8S26HE3/2E | TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO-218AB | SM8S26HE3/2E.pdf | |
 | V22RA8 | VARISTOR 22V 250A ENCASED | V22RA8.pdf | |
 | SIT8008ACA8-18S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby | SIT8008ACA8-18S.pdf | |
| 4494R-336 | 33mH Unshielded Wirewound Inductor 90mA 16 Ohm 8-SMD | 4494R-336.pdf | |
 | MCR18EZPF1803 | RES SMD 180K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF1803.pdf | |
 | TNPU060363K4BZEN00 | RES SMD 63.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU060363K4BZEN00.pdf | |
 | CRCW080513K0JNTB | RES SMD 13K OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080513K0JNTB.pdf |
