창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF640NSTRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF640N(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF640NSPBF Saber Model IRF640NSPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 67nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1160pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRF640NSTRRPBF-ND IRF640NSTRRPBFTR SP001561802 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF640NSTRRPBF | |
관련 링크 | IRF640N, IRF640NSTRRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 0201ZD222KAQ2A | 2200pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 0201ZD222KAQ2A.pdf | |
![]() | EMK107SD562JA-T | 5600pF 16V 세라믹 커패시터 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | EMK107SD562JA-T.pdf | |
![]() | VJ1808A820KBBAT4X | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A820KBBAT4X.pdf | |
![]() | 5WH103MECAI | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | 5WH103MECAI.pdf | |
![]() | SG7050CAN 5.000000M-TJGA3 | 5MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 3mA Standby (Power Down) | SG7050CAN 5.000000M-TJGA3.pdf | |
![]() | CLF7045T-3R3N-D | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 4.1A 21.32 mOhm Max Nonstandard | CLF7045T-3R3N-D.pdf | |
![]() | RG2012P-1432-B-T5 | RES SMD 14.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-1432-B-T5.pdf | |
![]() | RT1206CRE07174KL | RES SMD 174K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE07174KL.pdf | |
![]() | RG2012N-64R9-W-T1 | RES SMD 64.9 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-64R9-W-T1.pdf | |
![]() | YC162-FR-07130KL | RES ARRAY 2 RES 130K OHM 0606 | YC162-FR-07130KL.pdf | |
![]() | AF164-FR-07680KL | RES ARRAY 4 RES 680K OHM 1206 | AF164-FR-07680KL.pdf | |
![]() | CMF5561K900FKEK | RES 61.9K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5561K900FKEK.pdf |