창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF640PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF640, SiHF640 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF640PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF640PBF | |
관련 링크 | IRF6, IRF640PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | MMSZ5226C-G3-18 | DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123 | MMSZ5226C-G3-18.pdf | |
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![]() | LQM21NN1R0K10D | 1µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 400 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQM21NN1R0K10D.pdf | |
![]() | 8532R-10J | 5.6µH Unshielded Inductor 3.84A 24 mOhm Max 2-SMD | 8532R-10J.pdf | |
![]() | RG1005P-393-B-T5 | RES SMD 39K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-393-B-T5.pdf | |
![]() | AT0603DRE0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE0739R2L.pdf | |
![]() | RG3216P-9102-D-T5 | RES SMD 91K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-9102-D-T5.pdf | |
![]() | TNPW1206590KBEEA | RES SMD 590K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206590KBEEA.pdf | |
![]() | 4420P-2-223LF | RES ARRAY 19 RES 22K OHM 20SOIC | 4420P-2-223LF.pdf | |
![]() | ISL8844AAUZ-T | Converter Offline Boost, Flyback Topology Up to 2MHz 8-MSOP | ISL8844AAUZ-T.pdf |