Infineon Technologies IRF6608
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- IRF6608
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- Infineon Technologies
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- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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IRF6608 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF6608 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF6608 | |
| 기타 관련 문서 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF6608 Saber Model IRF6608 Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | (EP) Parts 25/May/2012 | |
| 카탈로그 페이지 | 1520 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 55A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2120pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 ST | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ ST | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | *IRF6608 IRF6608CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF6608 | |
| 관련 링크 | IRF, IRF6608 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
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