창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6631TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF6631(TR)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF6631TR1PBF Saber Model IRF6631TR1PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | MSL Update 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.2W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 SQ | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ SQ | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | IRF6631TRPBFTR SP001528816 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF6631TRPBF | |
관련 링크 | IRF663, IRF6631TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0805D241KXCAR | 240pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D241KXCAR.pdf | |
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![]() | S07J-GS18 | DIODE STD REC 600V DO219AB | S07J-GS18.pdf | |
![]() | IMP1-2F-2F-00-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP1-2F-2F-00-A.pdf | |
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![]() | HM72A-062R2LFTR13 | 2.2µH Unshielded Molded Inductor 8.3A 20 mOhm Max Nonstandard | HM72A-062R2LFTR13.pdf | |
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![]() | TNPW12069K65BEEA | RES SMD 9.65K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12069K65BEEA.pdf |