Infineon Technologies IRF6678
- 제조업체 부품 번호
- IRF6678
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF6678 가격 및 조달
가능 수량
5950 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,071.72000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF6678, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF6678 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6678, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF6678 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF6678 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF6678 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF6678 | |
| 기타 관련 문서 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF6678 Saber Model IRF6678 Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | (EP) Parts 25/May/2012 | |
| 카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5640pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ MX | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | IRF6678TR SP001526792 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF6678 | |
| 관련 링크 | IRF, IRF6678 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRF6678 의 관련 제품
 | ELXS451VSN221MP50S | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | ELXS451VSN221MP50S.pdf | |
.jpg) | CC0805DRNPO9BN7R0 | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805DRNPO9BN7R0.pdf | |
 | AQ147M2R2BAJBE | 2.2pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M2R2BAJBE.pdf | |
 | 416F50033ATR | 50MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50033ATR.pdf | |
 | 2SB1705TL | TRANS PNP 12V 3A TSMT3 | 2SB1705TL.pdf | |
 | IXXH100N60C3 | IGBT 600V 190A 830W TO247AD | IXXH100N60C3.pdf | |
.jpg) | BLM18HB121SN1D | 120 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Signal Line 200mA 1 Lines 500 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM18HB121SN1D.pdf | |
 | 784774212 | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 930 mOhm Max Nonstandard | 784774212.pdf | |
 | RGC0603FTC102K | RES SMD 102K OHM 1% 1/10W 0603 | RGC0603FTC102K.pdf | |
.jpg) | AT0805BRD07232KL | RES SMD 232K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD07232KL.pdf | |
.jpg) | RT0603BRE0719K1L | RES SMD 19.1KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE0719K1L.pdf | |
 | MCT06030D9761BP500 | RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D9761BP500.pdf |
