Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF6706S2TR1PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
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IRF6706S2TR1PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF6706S2TR1PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF6706S2TR(1)PbF | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF6706S2TR1PBF Saber Model IRF6706S2TR1PBF Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Gen 10.x Products 12/Dec/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 63A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1810pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 S1 | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET S1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IRF6706S2TR1PBFCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF6706S2TR1PBF | |
| 관련 링크 | IRF6706, IRF6706S2TR1PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
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