Infineon Technologies IRF6710S2TRPBF

IRF6710S2TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF6710S2TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
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내부 부품 번호EIS-IRF6710S2TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF6710S2TR(1)PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRF6710S2TR1PBF Saber Model
IRF6710S2TR1PBF Spice Model
PCN 단종/ EOLMult Device EOL 11/May/2016
PCN 조립/원산지DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Ta), 37A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.9m옴 @ 12A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1190pF @ 13V
전력 - 최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스DirectFET™ 아이소메트릭 S1
공급 장치 패키지DIRECTFET S1
표준 포장 4,800
다른 이름SP001524736
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF6710S2TRPBF
관련 링크IRF6710, IRF6710S2TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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