창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6718L2TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF6718L2TR(1)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF6718L2TR1PBF Saber Model IRF6718L2TR1PBF Spice Model | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Dec/2013 | |
PCN 조립/원산지 | DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Fab Site 07/Apr/2014 Die Epoxy Henkel 8064T Update 12/Nov/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 61A(Ta), 270A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 61A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 4.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 L6 | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET L6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF6718L2TRPBF-ND IRF6718L2TRPBFTR SP001523928 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF6718L2TRPBF | |
관련 링크 | IRF6718, IRF6718L2TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | MALREKB00PB368B00K | 680µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 550 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | MALREKB00PB368B00K.pdf | |
![]() | B43305A5187M67 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 750 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305A5187M67.pdf | |
![]() | TPC6.8AHM3/87A | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMPC | TPC6.8AHM3/87A.pdf | |
![]() | HC-49/U-S16000000CHLB | 16MHz ±100ppm 수정 22pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S16000000CHLB.pdf | |
![]() | ASTMHTA-20.000MHZ-ZK-E-T3 | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-20.000MHZ-ZK-E-T3.pdf | |
![]() | MBRF60060 | DIODE SCHOTTKY 60V 300A TO244AB | MBRF60060.pdf | |
![]() | MJH6284G | TRANS NPN DARL 100V 20A TO247 | MJH6284G.pdf | |
![]() | LB3218T220K | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 255mA 490 mOhm 1207 (3218 Metric) | LB3218T220K.pdf | |
![]() | MLZ1608N1R0LTD25 | 1µH Shielded Multilayer Inductor 700mA 143 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLZ1608N1R0LTD25.pdf | |
![]() | 744031006 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 850mA 156 mOhm Max Nonstandard | 744031006.pdf | |
![]() | PTN1206E5302BST1 | RES SMD 53K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E5302BST1.pdf | |
![]() | CRCW060318K2FKEC | RES SMD 18.2K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060318K2FKEC.pdf |