창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF710PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF710PBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF710PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF710PBF | |
관련 링크 | IRF7, IRF710PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
CC1206CRNPO9BN5R6 | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206CRNPO9BN5R6.pdf | ||
VJ0402D1R1DLXAJ | 1.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R1DLXAJ.pdf | ||
BFC247942165 | 1.6µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.433" W (30.00mm x 11.00mm) | BFC247942165.pdf | ||
824550851 | TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB | 824550851.pdf | ||
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RG1005P-3572-D-T10 | RES SMD 35.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-3572-D-T10.pdf | ||
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RNCF1206BTE499R | RES SMD 499 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE499R.pdf | ||
TNPW08053K20BEEA | RES SMD 3.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08053K20BEEA.pdf | ||
CMF55105K00FKEA | RES 105K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55105K00FKEA.pdf |