창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7311TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7311PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7311TRPBF Saber Model IRF7311TRPBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7311PBFTR SP001574720 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7311TRPBF | |
관련 링크 | IRF731, IRF7311TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ASTMUPLDFL-500.000MHZ-LJ-E-T | 500MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 55mA Enable/Disable | ASTMUPLDFL-500.000MHZ-LJ-E-T.pdf | |
![]() | 2N5058 | TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 | 2N5058.pdf | |
![]() | S8JX-P05024D | AC/DC CONVERTER 24V 50W | S8JX-P05024D.pdf | |
![]() | HSC200100RJ | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 200W | HSC200100RJ.pdf | |
![]() | RR0510P-9762-D | RES SMD 97.6KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-9762-D.pdf | |
![]() | RT0603BRB07162KL | RES SMD 162K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB07162KL.pdf | |
![]() | PE0603FRM7W0R04L | RES SMD 0.04 OHM 1% 1/5W 0603 | PE0603FRM7W0R04L.pdf | |
![]() | CA0001R1000KB12 | RES 0.1 OHM 1W 10% AXIAL | CA0001R1000KB12.pdf | |
![]() | Y00072K70000B9L | RES 2.7K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00072K70000B9L.pdf |