Infineon Technologies IRF7343QTRPBF
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- IRF7343QTRPBF
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- Infineon Technologies
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- FET - 어레이
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- MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
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IRF7343QTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7343QTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF7343QPBF | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
| PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.7A, 3.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 4.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IRF7343QTRPBFCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7343QTRPBF | |
| 관련 링크 | IRF734, IRF7343QTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
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