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Infineon Technologies IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF7351TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-IRF7351TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF7351PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1518 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs17.8m옴 @ 8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs36nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1330pF @ 30V
전력 - 최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름IRF7351TRPBFTR
SP001577392
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF7351TRPBF
관련 링크IRF735, IRF7351TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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