창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7404PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7404PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7404TRPBF Saber Model IRF7404TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 3.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | 62-0221PBF 62-0221PBF-ND SP001570402 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7404PBF | |
관련 링크 | IRF74, IRF7404PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SIT1602ACE8-30E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACE8-30E.pdf | |
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![]() | PXV1220S-10DBN8-T | RF Attenuator 10dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-10DBN8-T.pdf | |
![]() | MIKROE-1895 | SIM33ELA Global Navigation Satellite System (GNSS) RF mikroBUS™ Click™ Platform Evaluation Expansion Board | MIKROE-1895.pdf |