창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7413PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7413PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7413TRPBF Saber Model IRF7413TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 7.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 79nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | 62-0034PBF 62-0034PBF-ND SP001559860 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7413PBF | |
관련 링크 | IRF74, IRF7413PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
403I35D22M11840 | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35D22M11840.pdf | ||
416F48025CDT | 48MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48025CDT.pdf | ||
ASCO-13.000MHZ-L-T3 | 13MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | ASCO-13.000MHZ-L-T3.pdf | ||
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AHA10BFB-100R | RES CHAS MNT 100 OHM 1% 100W | AHA10BFB-100R.pdf | ||
CRCW0603681RFKEA | RES SMD 681 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603681RFKEA.pdf | ||
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PAT0603E1500BST1 | RES SMD 150 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1500BST1.pdf | ||
CRCW060336R0FKEB | RES SMD 36 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060336R0FKEB.pdf | ||
RAVF164DJT3K00 | RES ARRAY 4 RES 3K OHM 1206 | RAVF164DJT3K00.pdf |