창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7424GTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7424GPBF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 14/Dec/2012 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4030pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IRF7424GTRPBFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7424GTRPBF | |
관련 링크 | IRF742, IRF7424GTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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VJ0603D3R6DLCAC | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R6DLCAC.pdf | ||
564R6DF0T22ZD | 220pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 | 564R6DF0T22ZD.pdf | ||
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AT1206CRD07787KL | RES SMD 787K OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07787KL.pdf | ||
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RCP2512W13R0JS3 | RES SMD 13 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W13R0JS3.pdf | ||
RNF18FTD25R5 | RES 25.5 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD25R5.pdf | ||
CMF60499K00CER6 | RES 499K OHM 1W .25% AXIAL | CMF60499K00CER6.pdf | ||
MS46LR-30-1215-Q1-30X-30R-NC-A | SYSTEM | MS46LR-30-1215-Q1-30X-30R-NC-A.pdf |