창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7463TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7463PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7463 Saber Model IRF7463 Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3150pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7463PBFTR IRF7463TRPBF-ND IRF7463TRPBFTR-ND SP001551388 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7463TRPBF | |
관련 링크 | IRF746, IRF7463TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | BFC237326155 | 1.5µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC237326155.pdf | |
![]() | 02200003DRT3P | FUSE GLASS 350MA 250VAC 2AG | 02200003DRT3P.pdf | |
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![]() | 1330R-16J | 680nH Unshielded Inductor 500mA 600 mOhm Max 2-SMD | 1330R-16J.pdf | |
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![]() | RC2010FK-0763K4L | RES SMD 63.4K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-0763K4L.pdf | |
![]() | RT0201FRE07165RL | RES SMD 165 OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE07165RL.pdf | |
![]() | TNPU120612K1AZEN00 | RES SMD 12.1KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120612K1AZEN00.pdf | |
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