창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7470TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7470PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7470TRPBF Saber Model IRF7470TRPBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3430pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7470PBFTR IRF7470TRPBF-ND IRF7470TRPBFTR-ND SP001570336 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7470TRPBF | |
관련 링크 | IRF747, IRF7470TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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VJ1825Y333JBCAT4X | 0.033µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y333JBCAT4X.pdf | ||
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CPCF05820R0JB32 | RES 820 OHM 5W 5% RADIAL | CPCF05820R0JB32.pdf | ||
C14N32N-C2 | ENCODER OPT 32PPR 6MM SHAFT | C14N32N-C2.pdf |