창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7501TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7501PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7501TR Saber Model IRF7501TR Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 Copper Wire Update 08/Sep/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 700mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7501TRPBF-ND IRF7501TRPBFTR Q2235500 Q3145294 SP001575316 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7501TRPBF | |
관련 링크 | IRF750, IRF7501TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MCH185A060DK | 6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | MCH185A060DK.pdf | |
![]() | BFC237015154 | 0.15µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC237015154.pdf | |
![]() | ECW-H16333HVB | 0.033µF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.102" L x 0.453" W (28.00mm x 11.50mm) | ECW-H16333HVB.pdf | |
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![]() | AU3PDHM3/86A | DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A | AU3PDHM3/86A.pdf | |
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