창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7503TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7503PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 Copper Wire Update 08/Sep/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7503TRPBF-ND IRF7503TRPBFTR SP001555496 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7503TRPBF | |
관련 링크 | IRF750, IRF7503TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RC1608F184CS | RES SMD 180K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F184CS.pdf | |
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![]() | RT2512FKE0776K8L | RES SMD 76.8K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0776K8L.pdf | |
![]() | ERJ-L12UJ56MU | RES SMD 0.056 OHM 5% 1/2W 1812 | ERJ-L12UJ56MU.pdf | |
![]() | RNMF14FTD82R5 | RES 82.5 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD82R5.pdf | |
![]() | CP0007R2200JE66 | RES 0.22 OHM 7W 5% AXIAL | CP0007R2200JE66.pdf |