Infineon Technologies IRF7507TRPBF

IRF7507TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF7507TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
Datesheet 다운로드
다운로드
IRF7507TRPBF 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 222.39360
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IRF7507TRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF7507TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7507TRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IRF7507TRPBF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRF7507TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRF7507TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF7507PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 설계/사양Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013
Copper Wire Update 08/Sep/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.4A, 1.7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs140m옴 @ 1.7A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)700mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds260pF @ 15V
전력 - 최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭)
공급 장치 패키지Micro8™
표준 포장 4,000
다른 이름IRF7507TRPBF-ND
IRF7507TRPBFTR
SP001555486
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IRF7507TRPBF
관련 링크IRF750, IRF7507TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IRF7507TRPBF 의 관련 제품
1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 180 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C MAL215752152E3.pdf
33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C LXZ35VB33RM5X11LL.pdf
6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CGA1A2C0G1E6R8D030BA.pdf
0.60pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.033" W(1.60mm x 0.84mm) ML03510R6BAT2A.pdf
7pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CBR02C709C9GAC.pdf
TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMAJ SMAJ22CAE3/TR13.pdf
32MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F32013CAT.pdf
10nH Unshielded Inductor 1.562A 50 mOhm Max 2-SMD 1008-100J.pdf
RES SMD 2.67K OHM 1% 1/10W 0603 ERJ-3EKF2671V.pdf
RES SMD 750K OHM 5% 1/8W 0805 CR0805-JW-754ELF.pdf
RES SMD 0.082 OHM 1% 1W 2512 RL3264L4-R082-F.pdf
RES 536K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF55536K00FHEK.pdf