Infineon Technologies IRF7601PBF

IRF7601PBF
제조업체 부품 번호
IRF7601PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
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내부 부품 번호EIS-IRF7601PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF7601PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRF7601TR Saber Model
IRF7601TR Spice Model
PCN 설계/사양Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013
Copper Wire Update 08/Sep/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs35m옴 @ 3.8A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)700mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs22nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds650pF @ 15V
전력 - 최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭)
공급 장치 패키지Micro8™
표준 포장 80
다른 이름SP001551458
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF7601PBF
관련 링크IRF76, IRF7601PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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