창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7831TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7831PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7831TRPBF Saber Model IRF7831TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7831PBFTR SP001563658 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7831TRPBF | |
관련 링크 | IRF783, IRF7831TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0603D151JLXAT | 150pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151JLXAT.pdf | |
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![]() | T86D156K025ESSL | 15µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 400 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D156K025ESSL.pdf | |
![]() | ASTMHTA-80.000MHZ-XJ-E-T3 | 80MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-80.000MHZ-XJ-E-T3.pdf | |
![]() | SMBJ5948BE3/TR13 | DIODE ZENER 91V 2W SMBJ | SMBJ5948BE3/TR13.pdf | |
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![]() | RNCF0603DTC33K2 | RES SMD 33.2KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RNCF0603DTC33K2.pdf | |
![]() | SOMC1603330RGEA | RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC | SOMC1603330RGEA.pdf | |
![]() | MBA02040C7150FC100 | RES 715 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C7150FC100.pdf | |
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