창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7831TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7831PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF7831TRPBF Saber Model IRF7831TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7831PBFTR SP001563658 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7831TRPBF | |
관련 링크 | IRF783, IRF7831TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | LQP03TN91NH02D | 91nH Unshielded Thin Film Inductor 80mA 10 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN91NH02D.pdf | |
![]() | RT0402BRE0716KL | RES SMD 16K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0716KL.pdf | |
![]() | CRCW2010820RJNTF | RES SMD 820 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW2010820RJNTF.pdf | |
![]() | RG2012N-3652-W-T1 | RES SMD 36.5KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-3652-W-T1.pdf | |
![]() | CRCW251212R4FKEGHP | RES SMD 12.4 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251212R4FKEGHP.pdf | |
![]() | ATT-451F-01-SMA-02 | RF Attenuator 1dB 0Hz ~ 18GHz SMA In-Line Module | ATT-451F-01-SMA-02.pdf | |
![]() | P51-1000-S-C-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-S-C-I12-20MA-000-000.pdf |