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Infineon Technologies IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF7853TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-IRF7853TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF7853PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
SO8 FET Assembly Site Addition 17/Apr/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.3A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs18m옴 @ 8.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.9V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs39nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1640pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름IRF7853TRPBF-ND
IRF7853TRPBFTR
SP001554438
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF7853TRPBF
관련 링크IRF785, IRF7853TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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