창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7854TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7854PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 SO8 FET Assembly Site Addition 17/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.4m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.9V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7854TRPBF-ND IRF7854TRPBFTR SP001563900 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7854TRPBF | |
관련 링크 | IRF785, IRF7854TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | B82422T1121K8 | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 150 mOhm Max 2-SMD | B82422T1121K8.pdf | |
![]() | AQY284SZ | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm) | AQY284SZ.pdf | |
![]() | AC0402FR-0722K6L | RES SMD 22.6K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-0722K6L.pdf | |
![]() | RT0805FRE07487RL | RES SMD 487 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE07487RL.pdf | |
![]() | RNCF0805DKC147R | RES SMD 147 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RNCF0805DKC147R.pdf | |
![]() | P51-1000-S-C-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-C-MD-4.5OVP-000-000.pdf |