Infineon Technologies IRF7910TRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF7910TRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF7910TRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 555.98400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF7910TRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF7910TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7910TRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF7910TRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF7910TRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7910TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF7910PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1730pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7910TRPBF-ND IRF7910TRPBFTR SP001565662 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7910TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF791, IRF7910TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRF7910TRPBF 의 관련 제품
 | EEU-EB1H4R7SB | 4.7µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-EB1H4R7SB.pdf | |
 | JMK042BJ152KC-W | 1500pF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | JMK042BJ152KC-W.pdf | |
 | GRM1556S1H8R7CZ01D | 8.7pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556S1H8R7CZ01D.pdf | |
| MKP385313040JCA2B0 | 0.013µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP385313040JCA2B0.pdf | |
 | ABM8AIG-26.000MHZ-12-2-T3 | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8AIG-26.000MHZ-12-2-T3.pdf | |
 | 2EZ170D10E3/TR8 | DIODE ZENER 170V 2W DO204AL | 2EZ170D10E3/TR8.pdf | |
 | 744762222A | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 450 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | 744762222A.pdf | |
 | RCP0505B51R0GTP | RES SMD 51 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B51R0GTP.pdf | |
| 93J7K0 | RES 7K OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J7K0.pdf | |
 | Y078512K7600B9L | RES 12.76K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y078512K7600B9L.pdf | |
| E2S-W11B 1M | Inductive Proximity Sensor 0.063" (1.6mm) IP67 Module | E2S-W11B 1M.pdf | |
| 310000030259 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000030259.pdf |
