창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF8010SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF8010SPbF(LPbF) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF8010SPBF Saber Model IRF8010SPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3830pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 260W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF8010SPBF SP001575454 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF8010SPBF | |
관련 링크 | IRF80, IRF8010SPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
C0603C180J4GACTU | 18pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C180J4GACTU.pdf | ||
CBR02C159C9GAC | 1.5pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C159C9GAC.pdf | ||
TF3524V-121Y8R0-1H | 120µH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 8A DCR 20 mOhm | TF3524V-121Y8R0-1H.pdf | ||
VLF3010ST-150MR38 | 15µH Shielded Wirewound Inductor 380mA 610 mOhm Max Nonstandard | VLF3010ST-150MR38.pdf | ||
NRS5012T150MMGF | 15µH Shielded Wirewound Inductor 640mA 804 mOhm Max 2005 (5012 Metric) | NRS5012T150MMGF.pdf | ||
1840-08J | 680nH Unshielded Molded Inductor 1.52A 120 mOhm Max Axial | 1840-08J.pdf | ||
1008-103F | 10µH Unshielded Inductor 245mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 1008-103F.pdf | ||
CRGH2010J160K | RES SMD 160K OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J160K.pdf | ||
RG2012N-57R6-B-T5 | RES SMD 57.6 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-57R6-B-T5.pdf | ||
CPR2039R00JF10 | RES 39 OHM 20W 5% RADIAL | CPR2039R00JF10.pdf | ||
E3S-2B41-5M | PHOTOELECTRIC SENSOR | E3S-2B41-5M.pdf | ||
NTCLE400E3104H | NTC Thermistor 100k Bead | NTCLE400E3104H.pdf |