Infineon Technologies IRF8113PBF

IRF8113PBF
제조업체 부품 번호
IRF8113PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-IRF8113PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF8113PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRF8113 Saber Model
IRF8113 Spice Model
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.6m옴 @ 17.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs36nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2910pF @ 15V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 95
다른 이름SP001572234
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF8113PBF
관련 링크IRF81, IRF8113PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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