창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF8252TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF8252PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5305pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF8252TRPBFTR SP001572226 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF8252TRPBF | |
관련 링크 | IRF825, IRF8252TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | C1005CH2A331J050BA | 330pF 100V 세라믹 커패시터 CH 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005CH2A331J050BA.pdf | |
![]() | C4532X7R2J104K230KE | 0.10µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.125" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532X7R2J104K230KE.pdf | |
![]() | VJ0805D1R6BXXAC | 1.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R6BXXAC.pdf | |
104MWR250K | 0.1µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Axial 0.236" Dia x 0.551" L (6.00mm x 14.00mm) | 104MWR250K.pdf | ||
![]() | ECW-H12562JV | 5600pF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) | ECW-H12562JV.pdf | |
![]() | 416F50035ITT | 50MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50035ITT.pdf | |
![]() | ASTMUPCE-33-60.000MHZ-EY-E-T | 60MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-60.000MHZ-EY-E-T.pdf | |
![]() | SIT8008AIF8-30E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIF8-30E.pdf | |
![]() | 2N6505TG | THYRISTOR SCR 25A 100V TO220AB | 2N6505TG.pdf | |
![]() | B78108S1685J | 6.8mH Unshielded Wirewound Inductor Axial | B78108S1685J.pdf | |
![]() | PT0402JR-070R62L | RES SMD 0.62 OHM 5% 1/16W 0402 | PT0402JR-070R62L.pdf | |
![]() | RC12JT7R50 | RES 7.5 OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT7R50.pdf |