창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF8252TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF8252PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5305pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF8252TRPBFTR SP001572226 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF8252TRPBF | |
관련 링크 | IRF825, IRF8252TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ASVMB-25.000MHZ-LY-T | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASVMB-25.000MHZ-LY-T.pdf | |
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![]() | RR0510P-1372-D | RES SMD 13.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-1372-D.pdf | |
![]() | RT0805BRD07121KL | RES SMD 121K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07121KL.pdf | |
![]() | RCP0603W110RGS3 | RES SMD 110 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W110RGS3.pdf | |
![]() | PWD-5522-08-SMA-79 | RF Power Divider 2GHz ~ 8GHz Isolation (Min) 15dB Module | PWD-5522-08-SMA-79.pdf |