Infineon Technologies IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF8313TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-IRF8313TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF8313PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1518 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs15.5m옴 @ 9.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds760pF @ 15V
전력 - 최대2W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름IRF8313TRPBFTR
SP001577640
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF8313TRPBF
관련 링크IRF831, IRF8313TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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