창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF8313TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF8313PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.5m옴 @ 9.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF8313TRPBFTR SP001577640 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF8313TRPBF | |
관련 링크 | IRF831, IRF8313TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 4TCF330ML | 330µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 12 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 4TCF330ML.pdf | |
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![]() | MA-406 16.0000M-C0:ROHS | 16MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-406 16.0000M-C0:ROHS.pdf | |
![]() | BAS40-04-G3-08 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 | BAS40-04-G3-08.pdf | |
![]() | DPP30-12 | AC/DC CONVERTER 12V 30W | DPP30-12.pdf | |
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![]() | 4116R-2-702 | RES ARRAY 15 RES 7K OHM 16DIP | 4116R-2-702.pdf | |
![]() | 4420P-T03-330/390 | RES NTWRK 36 RES MULT OHM 20SOIC | 4420P-T03-330/390.pdf | |
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